MSC23V13258D-70BS2,MSC23V13258D-70BS2 pdf中文资料,MSC23V13258D-70BS2引脚图,MSC23V13258D-70BS2电路-Datasheet-电子工程世界

MSC23V13258D-70BS2: 产品描述EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, PDMA100,; 产品类别存储存储; 文件大小401KB，共10页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

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MSC23V13258D-70BS2概述

EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, PDMA100,

	MSC23V13258D-70BS2	MSC23V13258D-60BS2
描述	EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, PDMA100,	EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, PDMA100,
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	DIMM, DIMM100	DIMM, DIMM100
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N100	R-PDMA-N100
内存密度	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32	32
端子数量	100	100
字数	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	1MX32	1MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM100	DIMM100
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	NO
最大待机电流	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.28 mA	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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