MSM5116805A-60JS,MSM5116805A-60JS pdf中文资料,MSM5116805A-60JS引脚图,MSM5116805A-60JS电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MSM5116805A-60JS

MSM5116805A-60JS: 产品描述EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28; 产品类别存储存储; 文件大小374KB，共8页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

下载文档详细参数选型对比全文预览

MSM5116805A-60JS概述

EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28

MSM5116805A-60JS规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	SOJ, SOJ28,.44
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	8
端子数量	28
字数	2097152 words
字数代码	2000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

MSM5116805A-60JS相似产品对比

	MSM5116805A-60JS	MSM5116805A-80JS	MSM5116805A-60TS-K	MSM5116805A-70TS-K	MSM5116805A-70JS
描述	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28	EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明	SOJ, SOJ28,.44	SOJ, SOJ28,.44	TSOP, TSOP28,.46	TSOP, TSOP28,.46	SOJ, SOJ28,.44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	60 ns	80 ns	60 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
端子数量	28	28	28	28	28
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX8	2MX8	2MX8	2MX8	2MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	TSOP	TSOP	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.44	SOJ28,.44	TSOP28,.46	TSOP28,.46	SOJ28,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA	0.09 mA	0.11 mA	0.1 mA	0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

LED光柱驱动电路

电压脉宽变换器

电压敏电阻器对中心点不接地单相避雷电路

SC41343(通用)红外线、超声波或射频遥控发射编码电路

四通道天线放大器电路

光藕用于电话保安装置电路图

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多