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NE42484C-T1

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小183KB,共10页
制造商NEC(日电)
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NE42484C-T1概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET

NE42484C-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压3 V
最大漏极电流 (ID)0.02 A
FET 技术HETERO-JUNCTION
最高频带KU BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)11 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

NE42484C-T1相似产品对比

NE42484C-T1 NE42484C-T1A NE42484C-SL
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 3 V 3 V 3 V
最大漏极电流 (ID) 0.02 A 0.02 A 0.02 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION
最高频带 KU BAND KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 11 dB 11 dB 11 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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