电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NEZ4450-8D

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小192KB,共5页
制造商NEC(日电)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NEZ4450-8D概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

NEZ4450-8D规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (ID)9 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

NEZ4450-8D相似产品对比

NEZ4450-8D NEZ4450-15D NEZ4450-15DL NEZ4450-4D NEZ4450-8DL NEZ4450-4DL
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
灵猴机器人应用方案 采用机械臂实现电芯的自动分选
近几年,随着新能源汽车市场快速扩张,储能电池需求也正在加速增长,以致中国锂离子动力电池需求也将猛涨,其中动力电池成为锂离子电池产业增长的主导力量。据统计显示,2015年中国锂电池产量为 ......
linkhou 能源基础设施
wince 4.2和5.0区别
给位好,我想问大家一个问题就是wince4.2和5.0差别大吗?? 我现在想把一个5.0下的dll网卡驱动放到4.2的环境下面使用,不知道这样能否行得通??? 各位高手大侠请不吝赐教啊!!! 谢谢先...
lian 嵌入式系统
电设之F5529(10)电赛之自我小小吐槽
电赛之小小吐槽~电赛已经告一段落,回想时,其间的一幕幕依然清晰记得,虽有痛苦与疲惫,但更多的却是组员之间默契的配合及欢乐。今年的电赛,不论怎么说,得大于失。得到的虽多,失去的也不少 ......
sunduoze 微控制器 MCU
【TI首届低功耗设计大赛】开始设计了。。。
MSP430FR5969是一款功耗极低的单片机,拿到评估板不难发现其有一个1mF的大电容,能使其断开电源后可以依靠电容供电工作一会。 1.接下来刷了一下OutOfBox开箱程序,这个代码包含:GPIO,ADC,中 ......
youki12345 微控制器 MCU
一个 远程监控截图,供参考~~
41751 白天 41752 晚上...
冰人 工业自动化与控制
嗮奖品,望远镜
最近参加提问获得了个望远镜,感谢EE,下面嗮嗮奖品: ...
zhaojun_xf 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 919  117  2018  659  535  36  15  24  31  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved