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NESM250Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小77KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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NESM250Z概述

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN

	NESM250Z	NESM250
描述	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN
厂商名称	Microsemi	Microsemi
零件包装代码	TO-254Z	TO-254Z
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	27 A	27 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω	0.085 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A	110 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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