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NDB606BE

产品描述42A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共1页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

NDB606BE概述

42A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

NDB606BE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
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