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NP80N06DLC: 产品描述80A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, TO-262, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小231KB，共10页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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NP80N06DLC概述

80A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, TO-262, 3 PIN

	NP80N06DLC	NP80N06CLC
描述	80A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, TO-262, 3 PIN	80A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	TO-262AA	TO-220AB
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	80 A	80 A
最大漏极电流 (ID)	80 A	80 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	148 W	148 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	180 A	180 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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