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BZX384B33-GS18

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.2W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小237KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZX384B33-GS18概述

Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.2W,

BZX384B33-GS18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
JESD-609代码e3
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压33 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
最大电压容差2%
工作测试电流2 mA

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VISHAY
BZX384-Series
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
Features
• Silicon Planar Power Zener Diodes
• The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard.
• Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %.
Replace "C" with "B" for ± 2 % tolerance.
Mechanical Data
Case:
SOD-323 Plastic case
Weight:
approx. 5.0 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box
17431
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Power dissipation
1)
Test condition
Symbol
P
tot
Value
200
1)
Unit
mW
Device on fiberglass substrate
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to
ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
1)
Test condition
Symbol
R
thJA
T
j
T
S
Value
650
1)
150
- 65 to + 150
Unit
°C/W
°C
°C
Valid that electrodes are kept at ambient temperature
Document Number 85764
Rev. 1.5, 08-Jul-04
www.vishay.com
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