N08L1618C2AB2-85I,N08L1618C2AB2-85I pdf中文资料,N08L1618C2AB2-85I引脚图,N08L1618C2AB2-85I电路-Datasheet-电子工程世界

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N08L1618C2AB2-85I: 产品描述Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42; 产品类别存储存储; 文件大小180KB，共10页; 制造商AMI Semiconductor; 标准

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N08L1618C2AB2-85I概述

Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42

N08L1618C2AB2-85I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	AMI Semiconductor
包装说明	GREEN, BGA-42
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	85 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B42
JESD-609代码	e1
长度	10 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	42
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	8 mm

N08L1618C2AB2-85I相似产品对比

	N08L1618C2AB2-85I	N08L1618C2AB2-70I	N08L1618C2AB-70I	N08L1618C2AB-85I
描述	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, BGA-42	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, BGA-42
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	AMI Semiconductor	AMI Semiconductor	AMI Semiconductor	AMI Semiconductor
包装说明	GREEN, BGA-42	GREEN, BGA-42	BGA-42	BGA-42
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	85 ns	70 ns	70 ns	85 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B42	R-PBGA-B42	R-PBGA-B42	R-PBGA-B42
JESD-609代码	e1	e1	e0	e0
长度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端子数量	42	42	42	42
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	30	30
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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