2SK1011,2SK1011 pdf中文资料,2SK1011引脚图,2SK1011电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK1011

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2SK1011: 产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小619KB，共5页; 制造商Fuji Electric Co Ltd

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2SK1011概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

2SK1011规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	10 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	100 W
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

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