电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2SC4660C

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-126VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小184KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC4660C概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-126VAR

2SC4660C规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.3 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)2200 MHz
Base Number Matches1

2SC4660C相似产品对比

2SC4660C 2SC4660D
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-126VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-126VAR
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 60
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W 1.3 W
表面贴装 NO NO
Base Number Matches 1 1

推荐资源

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 172  280  913  1162  1442 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved