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2SC3989M

产品描述Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PBL, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC3989M概述

Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PBL, 3 PIN

2SC3989M规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值200 W
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)18 MHz
Base Number Matches1

2SC3989M相似产品对比

2SC3989M 2SC3989L 2SC3989N
描述 Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PBL, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PBL, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PBL, 3 PIN
零件包装代码 TO-247 TO-247 TO-247
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 25 A 25 A 25 A
集电极-发射极最大电压 500 V 500 V 500 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 15 30
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 200 W 200 W 200 W
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W 200 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 18 MHz 18 MHz 18 MHz
Base Number Matches 1 1 1
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