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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC5084-YTE85L
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2SC5084-YTE85L

产品描述TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小455KB，共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC5084-YTE85L概述

TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

2SC5084-YTE85L规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.08 A
基于收集器的最大容量1.15 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7000 MHz
Base Number Matches1

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2SC5084
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5084
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
•
•
Low noise figure, high gain.
NF = 1.1dB, |S
21e
|
2
= 11dB (f = 1 GHz)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Base current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
20
12
3
40
80
150
125
−55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
SC-59
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Microwave Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Transition frequency
Insertion gain
Symbol
f
T
⎪S
21e
⎪
(1)
⎪S
21e
⎪
(2)
NF (1)
NF (2)
2
2
Test Condition
V
CE
=
10 V, I
C
=
20 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
20 mA, f
=
500 MHz
V
CE
=
10 V, I
C
=
20 mA, f
=
1 GHz
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA, f
=
500 MHz
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA, f
=
1 GHz
Min
5
⎯
7.5
⎯
⎯
Typ.
7
16.5
11
1
1.1
Max
⎯
⎯
⎯
⎯
2
Unit
GHz
dB
Noise figure
dB
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
(Note 1)
C
ob
C
re
Test Condition
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
EB
=
1 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
20 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz (Note 2)
Min
⎯
⎯
80
⎯
⎯
Typ.
⎯
⎯
⎯
1.0
0.65
Max
1
1
240
⎯
1.15
pF
pF
Unit
μA
μA
Note 1: h
FE
classification O: 80~160, Y: 120~240
Note 2: C
re
is measured by 3 terminal method with capacitance bridge.
1
2007-11-01

2SC5084-YTE85L相似产品对比

2SC5084-YTE85L 2SC5084-YTE85R 2SC5084TE85R 2SC5084-OTE85L 2SC5084TE85L 2SC5084-OTE85R
描述 TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A
基于收集器的最大容量 1.15 pF 1.15 pF 1.15 pF 1.15 pF 1.15 pF 1.15 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 80 80 80 80
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz 7000 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

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