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2SC2912T

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,140MA I(C),TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小735KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SC2912T概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,140MA I(C),TO-126

2SC2912T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.14 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)200
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

2SC2912T相似产品对比

2SC2912T 2SC2912R 2SC2912S
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,140MA I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,140MA I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,140MA I(C),TO-126
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknown
最大集电极电流 (IC) 0.14 A 0.14 A 0.14 A
配置 Single Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 250 140
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz 150 MHz
Base Number Matches 1 1 -
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