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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD239B-DR6259
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BD239B-DR6259

产品描述4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB，共2页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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BD239B-DR6259概述

4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

BD239B-DR6259规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
VCEsat-Max0.7 V

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