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8413203YA

产品描述STANDARD SRAM, 70ns, CQCC20, CERAMIC, QCC-20
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制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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8413203YA概述

STANDARD SRAM, 70ns, CQCC20, CERAMIC, QCC-20

8413203YA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码QLCC
包装说明CERAMIC, QCC-20
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CQCC-N20
JESD-609代码e0
长度10.925 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型OTHER SRAM
内存宽度1
功能数量1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.3X.43
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度3.05 mm
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.43 mm

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HM-65262
March 1997
16K x 1 Asynchronous
CMOS Static RAM
Description
The HM-65262 is a CMOS 16384 x 1-bit Static Random
Access Memory manufactured using the Intersil Advanced
SAJI V process. The device utilizes asynchronous circuit
design for fast cycle times and ease of use. The HM-65262
is available in both JEDEC standard 20 pin, 0.300 inch wide
CERDIP and 20 pad CLCC packages, providing high board-
level packing density. Gated inputs lower standby current,
and also eliminate the need for pull-up or pull-down resis-
tors.
The HM-65262, a full CMOS RAM, utilizes an array of six
transistor (6T) memory cells for the most stable and lowest
possible standby supply current over the full military temper-
ature range. In addition to this, the high stability of the 6T
RAM cell provides excellent protection against soft errors
due to noise and alpha particles. This stability also improves
the radiation tolerance of the RAM over that of four transistor
(4T) devices.
Features
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70/85ns Max
• Low Standby Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50µA Max
• Low Operating Current . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Max
• Data Retention at 2.0V . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20µA Max
• TTL Compatible Inputs and Outputs
• JEDEC Approved Pinout
• No Clocks or Strobes Required
• Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . +55
o
C to +125
o
C
• Equal Cycle and Access Time
• Single 5V Supply
• Gated Inputs-No Pull-Up or Pull-Down Resistors
Required
Ordering Information
PACKAGE
CERDIP
JAN #
SMD#
CLCC (SMD#)
NOTE:
1. Access Time/Data Retention Supply Current.
TEMP. RANGE
-40
o
C to +85
o
C
-55
o
C to +125
o
C
-55
o
C to +125
o
C
-55
o
C to +125
o
C
70ns/20µA
(NOTE 1)
85ns/20µA
(NOTE 1)
HM1-65262B-9
29109BRA
8413203RA
8413203YA
HM1-65262-9
29103BRA
8413201RA
8413201YA
(NOTE 1)
85ns/400µA
-
-
-
-
PKG. NO.
F20.3
F20.3
F20.3
J20.C
Pinouts
HM-65262 (CERDIP)
TOP VIEW
HM-65262 (CLCC)
TOP VIEW
V
CC
A13
A1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Q
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 A13
18 A12
17 A11
16 A10
15 A9
14 A8
13 A7
12 D
11 E
A2 3
A3 4
A4 5
A5 6
A6 7
Q 8
9 10 11 12
GND
W
E
D
2
A0
1 20 19
18 A12
17 A11
16 A10
15 A9
14 A8
13 A7
A0 - A13
E
Q
D
V
SS
/GND
V
CC
W
Address Input
Chip Enable/Power Down
Data Out
Data In
Ground
Power (+5)
Write Enable
GND 10
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
©
Intersil Corporation 1999
File Number
3002.2
6-1

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描述 STANDARD SRAM, 70ns, CQCC20, CERAMIC, QCC-20 16KX1 STANDARD SRAM, 85ns, CDIP20 16KX1 STANDARD SRAM, 85ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 16KX1 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP20 16KX1 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
零件包装代码 QLCC DIP DIP DIP DIP
包装说明 CERAMIC, QCC-20 , CERAMIC, DIP-20 CERAMIC, DIP-20 DIP,
针数 20 20 20 20 20
Reach Compliance Code not_compliant unknow not_compliant not_compliant unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C
最长访问时间 70 ns 85 ns 85 ns 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-CQCC-N20 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20
内存密度 16384 bit 16384 bi 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 OTHER SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -40 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL SERIAL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY INDUSTRIAL MILITARY
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 -
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
I/O 类型 SEPARATE - SEPARATE SEPARATE -
JESD-609代码 e0 - e0 e0 -
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE -
封装代码 QCCN - DIP DIP DIP
封装等效代码 LCC20,.3X.43 - DIP20,.3 DIP20,.3 -
电源 5 V - 5 V 5 V -
筛选级别 MIL-STD-883 - MIL-STD-883 - MIL-STD-883
座面最大高度 3.05 mm - 5.08 mm - 5.08 mm
最大压摆率 0.05 mA - 0.05 mA 0.116 mA -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped - Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
宽度 7.43 mm - 7.62 mm - 7.62 mm
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