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2SD2124(S)-(1)

产品描述TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,120V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-252VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SD2124(S)-(1)概述

TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,120V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-252VAR

2SD2124(S)-(1)规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)2000
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)18 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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2SD2124(L)/(S)
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-927 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier
Outline
DPAK
4
4
1
2
3
12
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
2, 4
1
I
D
6 kΩ
(Typ)
0.5 kΩ
(Typ)
3
S Type
3
L Type

2SD2124(S)-(1)相似产品对比

2SD2124(S)-(1) 2SD2124(L)-(1)
描述 TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,120V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-252VAR TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,120V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-251VAR
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 18 W 18 W
表面贴装 YES NO
Base Number Matches 1 1
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