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2SD1760TL/R

产品描述3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD1760TL/R概述

3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SD1760TL/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)90 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

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2SD1760 / 2SD1864
Transistors
Power Transistor (50V, 3A)
2SD1760 / 2SD1864
!
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.5V (Typ.)
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243.
!
External dimensions
(Units : mm)
2SD1760
1.5±0.3
6.5±0.2
5.1
+0.2
−0.1
C0.5
2.3
+0.2
−0.1
0.5±0.1
0.9
2SD1864
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
5.5
+0.3
−0.1
9.5±0.5
0.9
1.5
!
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
0.9
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
(1)
(2)
(3)
0.5
±
0.1
2.54 2.54
14.5
±
0.5
0.75
0.65±0.1
2.5
0.65Max.
1.0
4.4
±
0.2
(1) (2) (3)
1.05
0.45
±
0.1
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : ATV
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
2SD1760
2SD1864
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limits
60
50
5
3
4.5
15
1
150
−55~+150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
∗1
P
C
Tj
Tstg
W (Tc=25°C)
∗2
W
°C
°C
Junction temperature
Storage temperature
∗1
Single pulse, P
W
=100ms
∗2
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.

2SD1760TL/R相似产品对比

2SD1760TL/R 2SD1760TL/P 2SD1760TL/Q 2SD1864TV2/P
描述 3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 82 120 82
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e2 e2 e2 e1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES NO
端子面层 TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 90 MHz 90 MHz 90 MHz 90 MHz
VCEsat-Max 1 V 1 V 1 V 1 V
Base Number Matches 1 1 1 1
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR -
功耗环境最大值 15 W 15 W 15 W -
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
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