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2SC2910S

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小122KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC2910S概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP, 3 PIN

2SC2910S规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.07 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)140
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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Ordering number:EN781F
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1208/2SC2910
High-Voltage Switching
Audio 80W Output Predriver Applications
Features
· Adoption of FBET process.
· High breakdown voltage.
· Excellent linearity of h
FE
and small C
ob
.
· Fast swtching speed.
Package Dimensions
unit:mm
2006A
[2SA1208/2SC2910]
( ) : 2SA1208
EIAJ:SC-51
SANYO:MP
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Conditions
Ratings
B:Base
C:Collector
E:Emitter
Unit
(–)180
(–)160
(–)5
(–)70
(–)140
900
150
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
–55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Turn-ON Time
Fall Time
Storage Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
ton
tf
tstg
VCB=(–)80V, IE=0
VEB=(–)4V, IC=0
VCE=(–)5V, IC=(–)10mA
VCE=(–)10V, IC=(–)10mA
VCB=(–)10V, f=1MHz
IC=(–)30mA, IB=(–)3mA
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
100*
150
(2.5)2.0
0.08
(–0.14)
0.1
0.2
1.0
0.3
(–0.4)
Conditions
Ratings
min
typ
max
(–)0.1
(–)0.1
400*
MHz
pF
V
µs
µs
µs
Unit
µA
µA
* : The 2SA1208/2SC2910 are classified by 10mA h
FE
are follows :
100
R
200
140
S
280
200
T
400
Switching Time Test Circuit
I
C
=10I
B1
=–10I
B2
=10mA (For PNP, the polarity is reversed)
Unit (resistance :
Ω,
capacitance : F)
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
71598HA (KT)/8270MH/6080MO/3187AT/3125KI/0193KI, TS(KOTO) No.781-1/4
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