32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 36.83 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.00075 A |
| 最大压摆率 | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 15.24 mm |
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