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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N6589
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2N6589

产品描述Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB，共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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2N6589在线购买

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2N6589概述

Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, ISOLATED TO-61, 3 PIN

2N6589规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-61
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)7.5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)7
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值71.4 W
最大功率耗散 (Abs)71 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

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