2SD1758F5TLQR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD1758F5TLQR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	32 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	10 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN COPPER
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.8 V
Base Number Matches	1

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2SD1758F5TLQR相似产品对比

	2SD1758F5TLQR	2SD1758F5TLP	2SD1758F5TLPR	2SD1758F5TLR	2SD1758F5TLQ	2SD1758F5TLPQ
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V	32 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120	82	82	180	120	82
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2	e2	e2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	10 W	10 W	10 W	10 W	10 W	10 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
包装说明	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

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