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2SC3950-C

产品描述Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC, TO-126ML, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC3950-C概述

Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC, TO-126ML, 3 PIN

2SC3950-C规格参数

参数名称属性值
Objectid2004758276
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2000 MHz

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Ordering number:ENN2441B
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC3950
High-Definition CRT Display
Video Output Applications
Applications
· High-definition CRT display video output, wide-band
amplifier.
Package Dimensions
unit:mm
2042B
[2SC3950]
8.0
1.0
4.0
1.0
1.6
0.8
1.5
3.0
7.5
· High f
T
: f
T
=2.0GHz.
· Large current capacity : I
C
=500mA.
· Micaless type : TO-126 plastic package.
1.4
Features
3.3
3.0
0.8
0.75
15.5
11.0
0.7
1
2
3
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Conditions
4.8
1.7
2.4
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126ML
Ratings
30
20
3
500
1000
1.3
Unit
V
V
V
mA
mA
W
W
Tc=25˚C
5
150
–55 to +150
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Symbol
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
VCB=20V, IE=0
VEB=2V, IC=0
VCE=5V, IC=50mA
VCE=5V, IC=500mA
VCE=5V, IC=100mA
40*
20
2.0
GHz
Conditions
Ratings
min
typ
max
0.1
5.0
200*
Unit
µA
µA
* h
FE
1 : The 2SC3950 is classified by 50mA h
FE
as follows :
Rank
hFE
C
40 to 80
D
60 to 20
E
100 to 200
Continued on next page.
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
21005TN (PC)/82903TN (KT)/N3098HA (KT)/N228MO/2037KI, TS No.2441–1/3

2SC3950-C相似产品对比

2SC3950-C 2SC3950-D 2SC3950-E
描述 Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC, TO-126ML, 3 PIN Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC, TO-126ML, 3 PIN Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC, TO-126ML, 3 PIN
Objectid 2004758276 2004758277 2004758278
零件包装代码 SIP SIP SIP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 2000 MHz 2000 MHz 2000 MHz
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