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MRA1000-14L

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRA1000-14L概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRA1000-14L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
基于收集器的最大容量40 pF
集电极-发射极最大电压28 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值83 W
最小功率增益 (Gp)8 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRA1000–14L/D
The RF Line
UHF Power Transistor
. . . designed primarily for wideband, large–signal output and driver amplifier
stages to 1000 MHz.
Designed for Class A Linear Power Amplifiers
Specified 19 Volt, 1000 MHz Characteristics:
Output Power — 14 Watts
Power Gain — 8.0 dB, Small–Signal
Built–In Matching Network for Broadband Operation
Gold Metallization for Improved Reliability
Diffused Ballast Resistors
Circuit board photomaster available upon request by
contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
MRA1000-14L
8.0 dB, TO 1000 MHz
14 WATTS BROADBAND
UHF POWER TRANSISTOR
CASE 145D–02, STYLE 1
(.380 SOE)
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
PD
TJ
Tstg
Value
28
50
3.5
83
0.48
200
– 65 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Watts
W/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case (TC = 70°C)
Symbol
R
θJC
Max
2.1
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 25 mA, IB = 0)
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 25 mA, VBE = 0)
Collector–Base Breakdown Voltage (IC = 25 mA, IE = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = 5.0 mA, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCB = 19 V, IE = 0)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
28
50
50
3.5
20
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (IC = 1.0 A, VCE = 5.0 V)
hFE
20
90
(continued)
REV 6
©
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1994
MRA1000–14L
1
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