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NDS9933

产品描述TRANSISTOR 3.2 A, 20 V, 0.11 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共6页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NDS9933概述

TRANSISTOR 3.2 A, 20 V, 0.11 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

NDS9933规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.2 A
最大漏极电流 (ID)3.2 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)110 ns
最大开启时间(吨)120 ns
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