Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDP408AS62Z

NDP408AS62Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小259KB，共6页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

NDP408AS62Z概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

NDP408AS62Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	36 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

NDP408AS62Z相似产品对比

	NDP408AS62Z	NDB408AL86Z	NDB408AEL86Z	NDB408BEL86Z	NDB408BL86Z	NDP408AES62Z	NDP408BS62Z	NDP408BES62Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
最大漏极电流 (ID)	12 A	12 A	12 A	11 A	11 A	12 A	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω	0.16 Ω	0.16 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.16 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	2	2	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	36 A	36 A	36 A	33 A	33 A	36 A	33 A	33 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	YES	YES	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

推荐资源

猎头公司硬件类职位: 招聘职位一、管理职位技术部主任 1. 硕士以上学历，计算机、集成电路设计或嵌入式系统相关专业； 2. 5年以上技术管理和项目管理经验； 3. 有相关产品的设计经验； 4. 能够全面制 ......; mfxbb 嵌入式系统

单片机在电饭煲中的应该用: ...; y0927 单片机

tms320c6747的emifa nandflash驱动: 请问有tms320c6747(evmomapl137)的emifa nandflash驱动吗？紧急啊，关系到我的转正工资问题，要我这周搞定。还有三天了。把emifa的手册看了遍，没看出什么名堂，不知道怎么写。手册里关于nand ......; georon DSP 与 ARM 处理器

zigbee路由分析: 在路由分析过程中涉及到路由表，路由发现表，邻居节点表，RREQ,RREP、RERR。路由表：包含此条路由下一跳节点地址，路由状态，目的地址。路由搜索表：在路由表建立过程中存在，应该是用来建立路 ......; wateras1 无线连接

proteus仿真 timestep too small: 在使用proteus仿真时，出现timestep too small 的提示，感觉电路挺简单的，麻烦问下，这种问题该怎么解决，调设置的话，具体怎么调呢？...; renliang25 Microchip MCU

电阻热噪声的计算: 在高于绝对0°（-273℃或Ok）的任何温度下，物质中的电子都在持续地热运动。由于其运动方向是随机的，任何短时电流都不相关，因此没有可检测到的电流。但是连续的随机运动序列可以导致Johnson噪 ......; lixiaohai8211 模拟电子

ARM架构中的程序执行与调用

1. 几个名词 ABI ：可执行文件必须遵守的规范，以在特定执行环境中运行；单独产生的可重定址的文件必须遵守的规范，以用来链接和执行。 EABI: 适用于嵌入式环境的ABI PCS：程序调用规范（Procedure Call Standard） AAPCS： PCS for ARM Architecture AAPCS定义了单独编译、单独汇编的程序是如何一起工作的。 Ro...[详细]
通过串口利用printf函数输出数据

　　一。printf函数格式　　printf函数具有强大的输出功能　　%表示格式化字符串输出　　目前printf支持以下格式的输出，例如：　　printf( %c ,a);输出单个字符。　　printf( %d ,a);输出十进制整数。　　printf( %f ,a);输出十进制浮点数. 　　printf( %o ,a);输出八进制数。　　printf( %s ,a);输出字符串。...[详细]
吉利短刀电池产能领先，2027年目标70GWh

8月23日，吉利旗下吉曜通行宣布，公司已拥有行业最大的短刀电池先进产能，并在全国拥有8大生产基地。预计到2027年，吉曜通行将形成70GWh的产能规模。今年4月，吉利整合旗下电池业务成立“吉曜通行”，将原有的金砖电池、神盾短刀电池统一为神盾金砖电池品牌。神盾金砖电池超级混动系列拥有超安全、超快充、超倍率、超长寿命等技术优势，将在极氪、领克、银河等品牌搭载。 5月29日，吉曜通行在生态日活动上...[详细]
基于android的远程控制智能灯

　　当你正在开心地看NBA或者足球的时候，你老婆叫你去把卧室房间的灯关掉，你是否很郁闷，当然不怕老婆的除外。　　现在你们有救了，这款灯可以用android手机app 控制(本人太穷因此不会出Iphone版本) ，让看球的同时，点点手机的按钮就能够关闭的灯了。　　首先，我们先看下整体的架构：　　看看硬件实现，组成部分： arduino主板，W5100(联网)，继电器(5V光电驱动)，普通L...[详细]
和燃油车相比电动汽车是否续航更久

无论是电动车还是普通的燃油车，对于绝大多数购车者来说，最终的使用成本都是他们最关心的，对于燃油车来说，如何省油是驾驶者最在意的地方，那么对于电动车来说，如何省电就成为了驾驶者最在意的地方，今天我们就来聊聊对于电动车来说怎么开才能更省电。对于开惯了燃油车的老司机来说，高速巡航状态一定是大家最喜欢的行驶场景了，毕竟在这种情况下车辆的油耗非常低，也许平常一箱油只能跑四五百公里，但是如果全程高速的...[详细]
2025智能机器人发展的思考与建议

基于对十余家智能机器人企业的调研，本文梳理并分析了智能产业发展现状及面临的挑战与分歧，从聚合智能视角提出发展建议。 ...[详细]
嵌入式大佬给你分析stm32串口

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
STM32定时器应用——PWM

STM32的定时器有三种，高级定时器（TIM1和TIM8），通用定时器（TIM2、TIM3、TIM4、TIM5）和基本定时器（TIM6和TIM7）。这三者的区别是：基本定时器：基本定时器功能比较简单，主要是计时，也可以为DAC提供时钟，直接触发驱动DAC 通用定时器：通用定时器除了基本的定时功能外，还可以测量输入信号的脉冲长度，也就是输入捕获功能，也可以产生输出波形，即输出比...[详细]
工业电脑的机器视觉

带有GPU的工业电脑利用强大的并行处理来建立深度学习模型，以分析和响应光学输入。系统形成对视觉数据的理解，以启动预防性维护、设备重定向、系统重新校准、资源重新分配或人工干预。机器视觉为工业设施带来了一些进步。机器视觉，也被称为机器的眼睛，是指计算机使用一个或多个摄像机进行观察的能力。它捕捉图像，对其进行处理，并创建一个动作课程。尽管这些步骤听起来很耗时，但它是以光速完成的。唯一耗时的过程是...[详细]
关于ESD管的叫法，你知道几个?

中国汉字博大精深，关于ESD管的叫法可谓是千奇百样，你知道的有几个呢？据优恩小编所知，目前ESD管的叫法主要有ESD静电保护器、ESD静电保护二极管、ESD防护静电二极管、ESD二极管以及ESD管。叫法虽多，但其作用还是防护电路而生。其实不管是它的叫法，还是原理，都是应当知道的，在了解ESD管的前提基础上，我们其实还要对前身作个大概的知悉，例如电子产品为什么需要防雷过压保护，ESD静电...[详细]
基于DIL的转向系统SOTIF场景开发分析

【摘要】为了提高智能网联汽车横向主动安全，将转向系统（EPS）的非预期功能安全场景识别和定义融入系统设计与开发环节。结合场景域分析、等价类和边界值技术，通过解构EPS相关车辆模型变体和横向运动场景，从EPS已知的运行场景中拓展出更多可能存在风险的工作场景。同时，利用基于半实物仿真的驾驶员在环系统（DIL），凭借其“人-车-环境”闭环的优势，使得更多未知风险场景转变为有效的已知场景，进而优化现有...[详细]
如何才能有效延长电动汽车的单次续航里程

电动汽车的续航里程关乎车辆的用车体验，而驾驶电动汽车外出的时候，里程焦虑也是对于使用电动汽车过程中令人头疼的问题。尽管目前最新的电动汽车一次充电可以实现续航五百公里以上的续航，但里程焦虑仍是纯电动车车主内心挥之不去的阴影。对于电动汽车来说，如何才能延长电动汽车的单次续航里程？对于车辆来说，延长车辆的续航里程，需要从驾驶方式，和车辆的使用上面来说，首先对于电动汽车来说，电动汽车的核心部件是电...[详细]
Intel首款机架级AI芯片！Jaguar Shores首秀曝光：用上HBM4+18A

8月21日消息，据报道，Intel正在开发的新一代AI芯片Jaguar Shores近日首次得到曝光。据Andreas Schilling分享的照片显示，Jaguar Shores测试平台目前被Intel的热工程团队使用，可能是为了研究合适的冷却方案。该芯片安装在一块开发板上，封装尺寸相当大，据称达到了92.5mm×92.5mm，这表明它是一个面向高性能计算（HPC）的平台。 Jagu...[详细]
直流变频空调核心大揭秘！

　　夏天是购买和使用空调的高峰，你是否留意空调的能效?你是否购买的是直流变频空调?又是否知道能效与空调用的电机之间的关系呢? 　　空调的原理　　空调器通电后，制冷系统内制冷剂的低压蒸汽被压缩机吸入并压缩为高压蒸汽后排至冷凝器。同时轴流风扇吸入的室外空气流经冷凝器，带走制冷剂放出的热量，使高压制冷剂蒸汽凝结为高压液体。高压液体经过过滤器、节流机构后喷入蒸发器，并在相应的低压下蒸发，吸取周围...[详细]
电容引脚断裂失效的机理及解决方法

　　断裂的机理是应力集中，一般发生在电容引出脚或焊盘连接点位置，如图。当振动环境下，电容引出脚和焊盘连接点承受的将是整个电容横向剪切和纵向拉伸方向的冲击力，尤其当电容较大的时候，如大的电解电容。　　电容引脚断裂机理示意图　　此现象的发生机理简单，解决方案也不复杂，常规经验是在电容的底部涂1圈硅橡胶GD414以粘接固定，但这种处理方式是不行的。　　硅橡胶拉伸强度为4-5MPa，伸长...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多