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NDC632P/L99Z

产品描述2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDC632P/L99Z概述

2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDC632P/L99Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDC632P/L99Z相似产品对比

NDC632P/L99Z NDC632P/D87Z NDC632P/S62Z
描述 2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 2700mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 2.7 A 2.7 A 2.7 A
最大漏源导通电阻 0.14 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 1 1 1
端子数量 6 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
功耗环境最大值 0.8 W 0.8 W 0.8 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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