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MJE13004TUBE

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小274KB,共4页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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MJE13004TUBE概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

MJE13004TUBE规格参数

参数名称属性值
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
参考标准TS 16949
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
MJE13004
MJE13005
TO-220
Plastic Package
Switchmode Series NPN Silicon Power Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Emitter Sustaining Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
*Peak
Base Current Continuous
*Peak
Emitter Current Continuous
*Peak
Power Dissipation upto T
a=
25ºC
Derate above=25ºC
Power Dissipation upto T
c
=25ºC
Derate above=25ºC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
V
CEO (sus)
V
CEV
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
I
E
I
EM
P
D
P
D
T
j,
T
stg
MJE13004
300
600
9
4
8
2
4
6
12
2
16
75
600
- 65 to +150
MJE13005
400
700
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
mW/ºC
W
mW/ºC
ºC
* Pulse Test: Pulse Width =5ms, Duty Cycle<10%
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient in free air
Maxmium Lead Temperature for
Soldering Purpose 1/8" from Case for 5
Seconds
R
th (j-c)
R
th (j-a)
T
L
1.67
62.5
275
ºC/W
ºC/W
ºC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
c
=25ºC Unless Specified Otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
**V
CEO(sus)
I
C
=10mA, I
B
=0
Collector Emitter sustaining voltage
MJE13004
MJE13005
I
CEV
V
CEV
=Rated Value,V
BE
=(off)=1.5V
Collector Cut off Current
T
C
=100ºC
V
CEV
=Rated Value,V
BE
=(off)=1.5V
V
EB
=9V, I
C
=0
I
C
=1A, V
CE
=5V
I
C
=2A, V
CE
=5V
MIN
300
400
TYP
MAX
UNIT
V
V
mA
mA
mA
1.0
5.0
1.0
60
40
Emitter Cut off Current
DC Current Gain
I
EBO
**h
FE
10
8
**Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle<2%
µ
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 4

MJE13004TUBE相似产品对比

MJE13004TUBE MJE13005BULK
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 300 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 8 8
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
参考标准 TS 16949 TS 16949
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz
嵌入式内存分配问题~
LDR1 0x00000000 { ROM1 0x00000000 0x1000 { 2410init.o (Init, +First) } } LDR2 0x30000000 { RAM2 0x30000000 { * (+RO) * (+RW) } ......
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