Insulated Gate Bipolar Transistor, 95A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE M8, MINISKIIP-27
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SEMIKRON |
包装说明 | SPECIAL SHAPE, R-XXSS-X27 |
针数 | 27 |
制造商包装代码 | CASE M8 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 95 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XXSS-X27 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 27 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SPECIAL SHAPE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UNSPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 520 ns |
标称接通时间 (ton) | 105 ns |
VCEsat-Max | 3 V |
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