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LH21256-10

产品描述Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, NMOS, PDIP16, DIP-16
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文件大小43KB,共1页
制造商SHARP
官网地址http://sharp-world.com/products/device/
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LH21256-10概述

Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, NMOS, PDIP16, DIP-16

LH21256-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SHARP
包装说明DIP-16
Reach Compliance Codeunknown
访问模式PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期256
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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