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SBF4089ZSR

产品描述Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 500MHz Max, 1 Func, GAAS, GREEN, SOT-89, 3 PIN
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小638KB,共8页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
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SBF4089ZSR概述

Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 500MHz Max, 1 Func, GAAS, GREEN, SOT-89, 3 PIN

SBF4089ZSR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Qorvo
包装说明TO-243
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码5A991.G
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益13.2 dB
最大输入功率 (CW)15 dBm
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量3
最大工作频率500 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TO-243
电源4.9 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率98 mA
表面贴装YES
技术GAAS

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SBF4089ZDC
to 500MHz,
Cascadable
InGaP/GaAs
HBT MMIC
Amplifier
SBF4089Z
DC to 500MHz, CASCADABLE InGaP/GaAs
HBT MMIC AMPLIFIER
Package: SOT-89
Product Description
RFMD’s SBF4089Z is a high performance InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Tran-
sistor MMIC Amplifier. A Darlington configuration designed with InGaP process tech-
nology provides broadband performance up to 0.5GHz with excellent thermal
performance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leak-
age current between junctions. Cancellation of emitter junction non-linearities
results in higher suppression of intermodulation products. Only a single positive
supply voltage, DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an optional RF choke
are required for operation.
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Gain(dB)
Features
IP
3
=42dBm at 240MHz
Stable Gain Over
Temperature
Robust 1000V ESD, Class 1C
Operates From Single Supply
Low Thermal Resistance
Receiver IF Amplifier
Cellular, PCS, GSM, UMTS
PA Driver Amplifier
Wireless Data, Satellite
Terminals
 
S-Parameters vs Frequency +25c
16
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
12
11.5
11
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Freq
-25
900
-20
-15
-10
s21
s11
s22
Applications
0
IRL,ORL(dB)
-5
Si BiCMOS
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
InP HBT
RF MEMS
LDMOS
Parameter
Small Signal Gain
Min.
Specification
Typ.
Max.
Unit
Condition
14.9
dB
70MHz
13.3
14.8
16.3
dB
240MHz
13.2
14.7
16.2
dB
500MHz
Output Power at 1dB Compression
20.1
dBm
70MHz
20.1
dBm
240MHz
18.4
19.9
dBm
400MHz
Output Third Order Intercept Point
40.0
dBm
70MHz
42.0
dBm
240MHz
39.0
41.0
dBm
400MHz
Input Return Loss
13.0
17.0
dB
500MHz
Output Return Loss
12.0
16.0
dB
500MHz
Noise Figure
3.3
4.3
dB
500MHz
Device Operating Voltage
4.5
4.9
5.3
V
Device Operating Current
82
90
98
mA
Thermal Resistance
43
°C/W
junction to lead
Test Conditions: V
S
=8V, I
D
=90mA Typ., T
L
=25°C. OIP
3
Tone Spacing=1MHz, P
OUT
per tone=0dBm, R
BIAS
=33. Data with Application Circuit.
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS111011
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
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是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Qorvo Qorvo Qorvo
包装说明 TO-243 TO-243 TO-243
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 5A991.G 5A991.G 5A991.G
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 TO-243 TO-243 TO-243
电源 4.9 V 4.9 V 4.9 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率 98 mA 98 mA 98 mA
表面贴装 YES YES YES
技术 GAAS GAAS GAAS
特性阻抗 50 Ω 50 Ω -
构造 COMPONENT COMPONENT -
增益 13.2 dB 13.2 dB -
最大输入功率 (CW) 15 dBm 19 dBm -
最大工作频率 500 MHz 500 MHz -
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