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SMP5021

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
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SMP5021概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236

SMP5021规格参数

参数名称属性值
厂商名称InterFET
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)7 pF
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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B-18
01/99
2N5020, 2N5021
P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ Analog Switches
Absolute maximum ratings at T
A
= 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage
Continuous Forward Gate Current
Continuous Device Power Dissipation
Power Derating
Storage Temperature Range
– 50 V
50 mA
500 mW
4 mW/°C
– 65°C to + 200°C
At 25°C free air temperature:
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain Saturation Current (Pulsed)
Dynamic Electrical Characteristics
Common Source
Forward Transconductance
Common Source Output Conductance
Common Source Input Capacitance
Common Source
Reverse Transfer Capacitance
g
fs
g
os
C
iss
C
rss
V
(BR)GDO
I
GSS
V
GS(OFF)
I
DSS
2N5020
Min
25
1
0.3
1.5
Max
2N5021
Min
25
1
0.5
–1
2.5
– 3.5
Max
Unit
V
nA
V
mA
Process PJ32
Test Conditions
I
G
= 1µA, V
DS
= ØV
V
GS
= 15V, V
DS
= ØV
V
DS
= – 15V, I
D
= 1 nA
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
– 0.3 – 1.2
1
3.5
20
25
7
1.5
6
20
25
7
mS
µS
pF
pF
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= – 15V, V
GS
= ØV
f = 1 MHz
f = 1 MHz
TOÐ18 Package
Dimensions in Inches (mm)
Surface Mount
SMP5020, SMP5021
Pin Configuration
1 Source 1, 2 Gate & Case, 3 Drain
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287
FAX
(972) 276-3375
www.interfet.com

SMP5021相似产品对比

SMP5021 2N5020 2N5021
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 7 pF 7 pF 7 pF
JEDEC-95代码 TO-236 TO-18 TO-18
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO NO
端子形式 GULL WING WIRE WIRE
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
外壳连接 - GATE GATE
最大功率耗散 (Abs) - 0.3 W 0.3 W
Base Number Matches - 1 1
基于FPGA设计的数字时钟 毕设(视频 源码)
视频过大,打包成15个压缩包 388687 388688 388690 388691 388692 388693 388694 388695 388696 388697 388698 388699 388700 388701 388702 ...
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