APT5030BNR-GULLWING,APT5030BNR-GULLWING pdf中文资料,APT5030BNR-GULLWING引脚图,APT5030BNR-GULLWING电路-Datasheet-电子工程世界

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APT5030BNR-GULLWING: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小79KB，共2页; 制造商ADPOW; 官网地址http://www.advancedpower.com/

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APT5030BNR-GULLWING概述

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN

APT5030BNR-GULLWING规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ADPOW
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	1210 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	21 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	84 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON

APT5030BNR-GULLWING相似产品对比

	APT5030BNR-GULLWING	APT5025BNR-GULLWING	APT5025BNR-BUTT	APT5030BNR-BUTT
描述	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
厂商名称	ADPOW	ADPOW	ADPOW	ADPOW
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	1210 mJ	1210 mJ	1210 mJ	1210 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	21 A	23 A	23 A	21 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-G3	R-PSFM-G3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W	360 W	360 W	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	84 A	92 A	92 A	84 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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