APT5020BNF-BUTT,APT5020BNF-BUTT pdf中文资料,APT5020BNF-BUTT引脚图,APT5020BNF-BUTT电路-Datasheet-电子工程世界

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APT5020BNF-BUTT: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小158KB，共4页; 制造商ADPOW; 官网地址http://www.advancedpower.com/

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APT5020BNF-BUTT概述

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

APT5020BNF-BUTT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ADPOW
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	28 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	350 pF
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	112 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	245 ns
最大开启时间（吨）	122 ns

APT5020BNF-BUTT相似产品对比

	APT5020BNF-BUTT	APT5022BNF-BUTT	APT5022BNF-GULLWING	APT5020BNF-GULLWING
描述	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	28 A	27 A	27 A	28 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	0.22 Ω	0.22 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	350 pF	350 pF	350 pF	350 pF
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-G3	R-PSFM-G3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W	360 W	360 W	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	112 A	108 A	108 A	112 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	YES	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	245 ns	245 ns	245 ns	245 ns
最大开启时间（吨）	122 ns	122 ns	122 ns	122 ns
厂商名称	ADPOW	-	ADPOW	ADPOW

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