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APT30M85BNR: 产品描述40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小165KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT30M85BNR概述

40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD

	APT30M85BNR	APT3010BNR
描述	40A, 300V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD	35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	1300 mJ	1300 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	300 V	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	40 A	35 A
最大漏极电流 (ID)	40 A	35 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	375 pF	375 pF
JEDEC-95代码	TO-247AD	TO-247AD
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W	360 W
最大功率耗散 (Abs)	360 W	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	160 A	140 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	280 ns	280 ns
最大开启时间（吨）	95 ns	95 ns

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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