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HY638256P-25

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小201KB,共9页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY638256P-25概述

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

HY638256P-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.3
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度34.671 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.318 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
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