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APT20M45BNR-BUTT

产品描述58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT20M45BNR-BUTT概述

58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

APT20M45BNR-BUTT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)1300 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)58 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)450 pF
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)232 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)230 ns
最大开启时间(吨)120 ns

APT20M45BNR-BUTT相似产品对比

APT20M45BNR-BUTT APT20M60BNR-BUTT APT20M60BNR-GULLWING APT20M45BNR-GULLWING
描述 58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN 58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1300 mJ 1300 mJ 1300 mJ 1300 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 58 A 50 A 50 A 58 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω 0.06 Ω 0.06 Ω 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 450 pF 450 pF 450 pF 450 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-G3 R-PSFM-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 360 W 360 W 360 W 360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 232 A 200 A 200 A 232 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 230 ns 230 ns 230 ns 230 ns
最大开启时间(吨) 120 ns 120 ns 120 ns 120 ns
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi -
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