Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ADPOW |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1300 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 58 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 450 pF |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 360 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 232 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 230 ns |
| 最大开启时间（吨） | 120 ns |
| APT20M45BNFR-GULLWING | APT20M60BNFR-GULLWING | APT20M45BNFR-BUTT | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 |
| 厂商名称 | ADPOW | ADPOW | ADPOW |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1300 mJ | 1300 mJ | 1300 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 58 A | 50 A | 58 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω | 0.06 Ω | 0.045 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 450 pF | 450 pF | 450 pF |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-G3 | R-PSFM-G3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 360 W | 360 W | 360 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 232 A | 200 A | 232 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 230 ns | 230 ns | 230 ns |
| 最大开启时间（吨） | 120 ns | 120 ns | 120 ns |
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