APT20M45BNFR-GULLWING,APT20M45BNFR-GULLWING pdf中文资料,APT20M45BNFR-GULLWING引脚图,APT20M45BNFR-GULLWING电路-Datasheet-电子工程世界

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APT20M45BNFR-GULLWING: 产品描述58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小85KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT20M45BNFR-GULLWING概述

58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN

APT20M45BNFR-GULLWING规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	TO-247
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	1300 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	58 A
最大漏源导通电阻	0.045 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	450 pF
JESD-30 代码	R-PSFM-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	232 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	230 ns
最大开启时间（吨）	120 ns

APT20M45BNFR-GULLWING相似产品对比

	APT20M45BNFR-GULLWING	APT20M60BNFR-GULLWING	APT20M45BNFR-BUTT	APT20M60BNFR-BUTT
描述	58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN	50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN	58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	1300 mJ	1300 mJ	1300 mJ	1300 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	58 A	50 A	58 A	50 A
最大漏源导通电阻	0.045 Ω	0.06 Ω	0.045 Ω	0.06 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	450 pF	450 pF	450 pF	450 pF
JESD-30 代码	R-PSFM-G3	R-PSFM-G3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	360 W	360 W	360 W	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	232 A	200 A	232 A	200 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	230 ns	230 ns	230 ns	230 ns
最大开启时间（吨）	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns

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