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APT11GF120BRD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共4页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT11GF120BRD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

APT11GF120BRD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)22 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)215 ns
标称接通时间 (ton)33 ns

APT11GF120BRD相似产品对比

APT11GF120BRD
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 ADPOW
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
其他特性 FAST SWITCHING
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 22 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 6.5 V
门极-发射极最大电压 20 V
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 215 ns
标称接通时间 (ton) 33 ns

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