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2SC5614FB-T3

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SMT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共32页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SC5614FB-T3概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SMT

2SC5614FB-T3规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)100
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.14 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)3000 MHz
Base Number Matches1

2SC5614FB-T3相似产品对比

2SC5614FB-T3 2SC5614EB
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SMT TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SMT
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 100 80
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.14 W 0.14 W
表面贴装 YES YES
标称过渡频率 (fT) 3000 MHz 3000 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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