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BAX18116

产品描述DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BAX18116概述

DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

BAX18116规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.45 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BAX18116相似产品对比

BAX18116 BAX18153 BAX18136
描述 DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
最大输出电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.45 W 0.45 W 0.45 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 75 V 75 V 75 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦)

 
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