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BT136B800T/R

产品描述TRIAC, 800V V(DRM), 4A I(T)RMS
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小278KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BT136B800T/R概述

TRIAC, 800V V(DRM), 4A I(T)RMS

BT136B800T/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
关态电压最小值的临界上升速率100 V/us
最大直流栅极触发电流35 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流15 mA
JESD-609代码e0
最大漏电流0.5 mA
最大通态电压1.7 V
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大均方根通态电流4 A
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型TRIAC

BT136B800T/R相似产品对比

BT136B800T/R BT136B500T/R BT136B600T/R
描述 TRIAC, 800V V(DRM), 4A I(T)RMS TRIAC, 500V V(DRM), 4A I(T)RMS TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
关态电压最小值的临界上升速率 100 V/us 100 V/us 100 V/us
最大直流栅极触发电流 35 mA 35 mA 35 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 15 mA 15 mA 15 mA
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大漏电流 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
最大通态电压 1.7 V 1.7 V 1.7 V
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大均方根通态电流 4 A 4 A 4 A
断态重复峰值电压 800 V 500 V 600 V
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型 TRIAC TRIAC TRIAC
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