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BUK446-800B: 产品描述TRANSISTOR 1.7 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小219KB，共5页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BUK446-800B概述

TRANSISTOR 1.7 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

BUK446-800B规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SFM
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V
最大漏极电流 (ID)	1.7 A
最大漏源导通电阻	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	50 pF
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6.8 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	210 ns
最大开启时间（吨）	65 ns

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BUK446-800B相似产品对比

	BUK446-800B	BUK446-800A	BUK446-800A127	BUK446-800A,127	BUK446-800B127	BUK446-800B,127
描述	TRANSISTOR 1.7 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 2 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 2 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	2A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	TRANSISTOR 1.7 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power	1.7A, 800V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V	800 V	800 V	800 V	800 V	800 V
最大漏极电流 (ID)	1.7 A	2 A	2 A	2 A	1.7 A	1.7 A
最大漏源导通电阻	4 Ω	3 Ω	3 Ω	3 Ω	4 Ω	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6.8 A	8 A	8 A	8 A	6.8 A	6.8 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
零件包装代码	SFM	SFM	SFM	-	SFM	-
针数	3	3	3	-	3	-

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