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SGA0363ZSQ

产品描述Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 5000MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-363, 6 PIN
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小317KB,共6页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准
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SGA0363ZSQ概述

Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 5000MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-363, 6 PIN

SGA0363ZSQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Qorvo
包装说明TSSOP6,.08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码5A991.G
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益16.2 dB
最大输入功率 (CW)-5 dBm
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量6
最大工作频率5000 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TSSOP6,.08
电源2.5 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率13 mA
表面贴装YES
技术BIPOLAR
最大电压驻波比1.7

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SGA0363ZDC
to 5000MHz,
Silicon Germa-
nium Cascad-
able Gain
Block
SGA0363Z
DC to 5000MHz, SILICON GERMANIUM
CASCADABLE GAIN BLOCK
Package: SOT-363
Product Description
The SGA0363Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-
ton configuration featuring one-micron emitters provides high F
T
and
excellent thermal perfomance. The heterojunction increases breakdown
voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of
emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-
lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor and an
optional RF choke are required for operation.
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
25
20
15
Features
DC to 5000MHz Operation
Single Voltage Supply
Low Current Draw: 11mA at
2.5V Typ.
High Output Intercept:
14dBm Typ. at 1950MHz
PA Driver Amplifier
Cellular, PCS, GSM, UMTS
IF Amplifier
Wireless Data, Satellite
Applications
Small Signal Gain vs. Frequency
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
RF MEMS
dB
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
Frequency GHz
Parameter
Output Power at 1dB Compression
Min.
Specification
Typ.
2.3
2.3
1.6
14.2
14.0
13.1
19.6
17.2
16.2
5000
1.8:1
1.7:1
24.0
22.8
22.1
3.0
Max.
Unit
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dB
dB
dB
MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
DC to 4500MHz
DC to 4500MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
1950MHz
Condition
Third Order Intercept Point
Small Signal Gain
3dB Bandwidth
Input VSWR
Output VSWR
Reverse Isolation
Noise Figure
[1]
Device Operating Voltage
2.5
V
Device Operating Current
9
11
13
mA
Thermal Resistance
255
°C/W
junction - lead
Test Conditions: V
S
=5V, I
D
=11mA Typ., T
L
=25°C. OIP3 Tone Spacing=1MHz, P
OUT
per tone=-12dBm, R
BIAS
=220, Z
S
=Z
L
=50
dB
dB
dB
dB
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS111011
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
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是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Qorvo Qorvo
包装说明 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 5A991.G 5A991.G
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
增益 16.2 dB 16.2 dB
最大输入功率 (CW) -5 dBm -5 dBm
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1
端子数量 6 6
最大工作频率 5000 MHz 5000 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
电源 2.5 V 2.5 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率 13 mA 13 mA
表面贴装 YES YES
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