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HCS00KMSH

产品描述NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小207KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCS00KMSH概述

NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14

HCS00KMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DFP, FL14,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup26 ns
传播延迟(tpd)25 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量200k Rad(Si) V

HCS00KMSH相似产品对比

HCS00KMSH HCS00DMSH
描述 NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 DFP, FL14,.3 SOP, SOP14,.25
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列 HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A
功能数量 4 4
输入次数 2 2
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP SOP
封装等效代码 FL14,.3 SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 26 ns 26 ns
传播延迟(tpd) 25 ns 25 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
筛选级别 38535V;38534K;883S MIL-STD-883 Class S (Modified)
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
总剂量 200k Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
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