30mA, 210V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A |
集电极-发射极最大电压 | 210 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 82 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 60 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SC1651STP/P | 2SC1651STPQ | 2SC1651STPP | 2SC1651STP/Q | |
---|---|---|---|---|
描述 | 30mA, 210V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 210V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 210V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN | 30mA, 210V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A |
集电极-发射极最大电压 | 210 V | 210 V | 210 V | 210 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 82 | 120 | 82 | 120 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 | e1 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 | 10 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 60 MHz | 60 MHz | 60 MHz | 60 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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