Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG3033M14-T3-AFB

NESG3033M14-T3-AFB: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小127KB，共15页; 制造商NEC(日电)

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NESG3033M14-T3-AFB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN

NESG3033M14-T3-AFB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN
Reach Compliance Code	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.035 A
基于收集器的最大容量	0.25 pF
集电极-发射极最大电压	4.3 V
配置	SINGLE
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON GERMANIUM

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DATA SHEET

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NESG3033M14

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ V

= 2 V, I

= 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ V

= 2 V, I

= 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: f

max

= 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

ORDERING INFORMATION

Part Number

NESG3033M14

Order Number

NESG3033M14-A

Package

4-pin lead-less minimold

(M14, 1208 PKG)

NESG3033M14-T3 NESG3033M14-T3-A

(Pb-Free)

Note

Quantity

50 pcs

(Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Collector), Pin 4 (Emitter) face the

perforation side of the tape

Note

With regards to terminal solder (the solder contains lead) plated products (conventionally plated), contact

your nearby sales office.

Remark

To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

CBO

Note 1

Ratings

5.0

4.3

150

−65

to +150

Unit

°C

CEO

Note 1

tot

Note 2

stg

Notes 1.

CBO

and I

are limited by the permissible current of the protection element.

Mounted on 1.08 cm

1.0 mm (t) glass epoxy PWB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. PU10640EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published May 2007 NS

Printed in Japan

The mark <R> shows major revised points.

2006, 2007

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

NESG3033M14-T3-AFB相似产品对比

	NESG3033M14-T3-AFB	NESG3033M14-FB	NESG3033M14-T3FB	NESG3033M14	NESG3033M14-T3-A	NESG3033M14-A	NESG3033M14-T3	NESG3033M14-AFB
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN	LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A	0.035 A
基于收集器的最大容量	0.25 pF	0.25 pF	0.25 pF	0.25 pF	0.25 pF	0.25 pF	0.25 pF	0.25 pF
集电极-发射极最大电压	4.3 V	4.3 V	4.3 V	4.3 V	4.3 V	4.3 V	4.3 V	4.3 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e3/e6	e6	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4	4	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	MATTE TIN/TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM

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