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JANJ2N2905AL

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANJ2N2905AL概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,

JANJ2N2905AL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Semicoa
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/290
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)45 ns

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Data Sheet No. 2N2905AL
Type 2N2905AL
Geometry
0600
Polarity PNP
Qual Level: JAN - JANS
Features:
General-purpose transistor for
switching and amplifier applica-
tons.
Housed in a
TO-5
case.
Also available in chip form using
the
0600
chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/290
which
Semicoa meets in all cases.
The
Typ
values are actual batch
averages for Semicoa.
Radiation Graphs available.
Generic Part Number:
2N2905A
REF: MIL-PRF-19500/290
TO-5
Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C unless otherwise specified
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Rating
60
60
5.0
600
-65 to +200
-65 to +200
Unit
V
V
V
mA
o
C
C
o

JANJ2N2905AL相似产品对比

JANJ2N2905AL
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,
厂商名称 Semicoa
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/290
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 300 ns
最大开启时间(吨) 45 ns

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