Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDP610BS62Z

NDP610BS62Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小260KB，共6页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

NDP610BS62Z概述

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

NDP610BS62Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	24 A
最大漏源导通电阻	0.08 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	96 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

NDP610BS62Z相似产品对比

	NDP610BS62Z	NDB610AL86Z	NDP610AES62Z	NDP610AS62Z	NDB610BL86Z	NDP610BES62Z	NDB610BEL86Z	NDB610AEL86Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	24 A	26 A	26 A	26 A	24 A	24 A	24 A	26 A
最大漏源导通电阻	0.08 Ω	0.065 Ω	0.065 Ω	0.065 Ω	0.08 Ω	0.08 Ω	0.08 Ω	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-263AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-263AB	TO-220AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	2	3	3	2	3	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	96 A	104 A	104 A	104 A	96 A	96 A	96 A	104 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	NO	NO	YES	NO	YES	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Fairchild	-	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild

推荐资源

迅为iMX6D/Q/PLUS设备树 Android7.1.2 系统编译: 1 安装 JDK 1）Android8.1 系统编译依赖于 JAVA 8。编译之前需安装 OpenJDK。安装命令如下： add-apt-repository ppapenjdk-r/ppa apt-get update sudo apt-get install openjdk-8-jdk 执 ......; 遥寄山川 ARM技术

iTOP-i.MX6ULL开发板-Busybox移植DHCP-烧写测试: 1烧写文件系统 1.烧写前，我们先来修改 mfgtools 烧写工具的一些配置。如果您的板子是 EMMC 的，修改 cfg.init 如图 89.5.1 所示： 232196如果您的板子是 NAND 的，修改 cfg.init 如图 89.5 ......; 遥寄山川 ARM技术

迅为i.MX6ULL开发板-移植OpenCv2.4.9-搭建OpenCv编译环境: 本章节将介绍 OpenCV 的移植方法，及结合 Qt 例程去进一步学习 OpenCV 识别图像。本章节使用的资料已经放到了开发板网盘资料中，路径为：“11_Linux系统开发进阶\85_章节_移植 OpenCv2.4.9 ......; 遥寄山川 ARM技术

60GHz毫米波通信，这么牛B的技术是国内厂家的，厉害不？: SiI6321/SiI6310是一款60GHz毫米波收发器，支持WirelessHD无损高清图传，最远传输距离能达到30米，延时5ms左右，基本属于0延时传输，投屏效果非常好。这款毫米波通信芯片最早是一家叫Sili ......; littleshrimp 国产芯片交流

安路SF1系列FPGA（一）两种方式点灯与串口通信-1: 本帖最后由瓜弟于 2023-2-23 22:29 编辑 1、带硬核RISCV的FPGA：SF1系列简介 RISCV32IMCA（整数乘除、压缩指令、原子指令）指令集的硬核，可见该硬核目标应用为逻辑管理类，非计算密 ......; 瓜弟国产芯片交流

ChatGPT有哪些竞争对手: 今天在一个群里看到的分享，ChatGPT都有哪些竞争对手，大家可以看看 678505 ...; okhxyyo 无线连接

看好中国RFID市场普印力中国AIDC新突破

　　这标志着在物流供应链打印中处于全球领先地位的美国普印力PRINTRONIX更加看好中国市场，进一步加大在中国的投资力度，依托国际性分销商和本土的行业巨头进一步深入中国市场。　　来自政府相关部门的领导、自动识别行业专家、行业客户代表以及新闻媒体出席了新闻发布会，普印力全球高级销售总裁James B. McWilson以及大中华区总经理Roger Zhao出席会议，与闪联总裁孙育宁博士现场...[详细]
英特尔R1000：RFID超高频的风暴眼？

　　【RFID射频快报2007年4月13日讯】在今年三月份，算得上重磅新闻的就是英特尔研发出超高频频段高度集成的芯片产品R1000。随着R1000产品的高调登场，环绕其身旁的低成本、多功能和省能耗等光环也引发了国内外业界研究专家和行业企业的强烈关注和热议。RFID射频快报记者分别致电业内相关人士，就英特尔R1000是否会引发超高频市场剧变一事进行了调查和采访。　　技术成本多优势创造未来新...[详细]
医疗影像存储与传输左右信息化进程

　　医疗信息化需要对数据资产的管理有一个通盘的考虑。　　在在去年本刊举办的“富营”活动中，曾有多数医疗行业CIO表示，目前国内80%的医院已经实施管理信息系统（MIS），系统建设状况相对成熟；而HCIS（临床管理信息化系统）则相对不足。人们普遍关注的电子病历系统、医疗影像存储与传输系统（PACS）系统以及临床决策支持系统，其中绝大部分尚处于部分应用或试用探索阶段，近半数医院仍是空白。　　...[详细]
风河与Intel合作推出MID Linux平台快速发展

　　7月11日，设备软件优化（DSO）厂商风河系统公司（Wind River）日前宣布与Intel合作共同推动MID（Mobile Internet Device, 移动互联网设备）市场的快速发展。借助于Intel公司的支持，风河将推出面向MID市场的开放式、可扩展的Moblin Linux平台。此外，风河还将推出针对Intel Centrino Atom处理器进行优化的商用级Mobli...[详细]
Intel CEO:收入激增受益于全球芯片销量

　　英特尔公司的首席执行官10日声称，公司第二季度良好表现受益于全球芯片销量的强劲增长。　　综合外电7月10日报道，英特尔公司（IntelCorp）首席执行官保罗·欧德宁(PaulOtellini)10日声称，公司正在从国外强劲增长的芯片销售中获益。他认为英特尔公司不同于美国其他公司之处在于英特尔公司75％的收入并不是来自美国，公司的足迹遍及全球。全球市场对公司产品的需求确实非常强劲。　...[详细]
未来几年忆阻器发展将迎来黄金时期

　　电子电路理论中的第四种无源元件——忆阻器（Memristor），通过控制衬底（基片）材料有望在2009年制作出一种新的存储器，从而向制造原型迈进了一大步。　　4月，HP Labs的研究者声称他们已经制造出忆阻器，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在1971年的一篇论文中，假定其为第四种无源元件，其他三种则是电阻器、电容器和电感器。如今，HP Labs声称他们已经证实了怎样控制忆阻器材料，它会...[详细]
为磁共振成像设计耦合的微带谐振器

　　用于医学和科学应用的磁共振成像(MRI)系统需要一个能够建立一个均匀强磁场的高性能、高功率电感。横向电磁(TEM)谐振器1作为需要磁场强度4.7和9.4T的MRI应用中标准交鸟笼型线圈2的高级替代最近颇受关注。比如，在操作频率为200和400MHz时，横向电磁(TEM)谐振器能够达到比同等鸟笼型线圈引起的改进MRI图像质量更好的磁场同向性和更高的品质因素(Q)。为了支持面向基于耦合微带线的MR...[详细]
仿真人型机器人正在快速发展之中

　　最近我在芝加哥参观了Robots和Vision展览。尽管展厅的大部分都是优良的工业机器人应用，但在仿真仿真人型机器人领域取得的进步确实照亮了可做灵巧动作的机器人的未来。　　美国国家航空和宇宙航行局(NASA)的Michael Lutomski在开展第一天的主题演讲中对航天机器人Robonaut进行了一番颇有诱惑力的介绍。该航天机器人是NASA Johnson航天中心机器人系统科技部与美国国...[详细]
无线型睡眠呼吸暂停症监视系统

　　前言　　睡眠呼吸暂停症是一种很常见的睡眠呼吸疾病，根据研究调查，在美国约有24%的成年男性及9%成年女性或超过200万人口患有此疾病，在中国台湾至少有35万人也有此问题。　　一般在诊断患者是否罹患睡眠呼吸暂停症是指患者在睡眠中出现呼吸暂停和低通气的总次数超过每小时5次。其中呼吸暂停是指在睡眠中，出现10秒以上的呼吸气流消失，低通气是指呼吸气流并未完全停止，只是减少到原来的20%~50%...[详细]
Ocean Blue支持Freeview+ PVR高清

Ocean Blue 软件公司宣布全面支持英国数字电视组织 (Digital Terrestrial Group, DTG) 硬盘式机顶盒软件标准，并重新命名该标准为 Freeview+ 。 Freeview+ 是首个用于个人 / 数字视频录像机 (PVR/DVR) 的软件标准，由 DTG 标准组织制定， Ocean Blue 是这个组织的活跃成员。 ...[详细]
IBM三星逆势下注芯片投资均超10亿美元

　　在全球半导体产业因景气不佳而纷传并购、整合之际，两大IT巨头三星、IBM日前却双双宣布，将强化半导体产业投资。　　三星电子本周一宣布，已向韩国证券交易所提交一份申请文件，打算2008年投下10.5亿美元，用于升级内存芯片生产线、改进技术工艺，从而提高产能并降低成本。无独有偶。本周二IBM公司宣布，未来3年将投资10亿美元，用于扩充位于纽约州 East Fishkill 的半导体工厂，以消...[详细]
美国国家半导体公司的SolarMagic技术

SolarMagic Raceway 　　画面是我们在"31号停车场"上铺设的SolarMagic赛车道。车道上停放的两辆高尔夫球车都在车顶安装设了先进的光伏太阳能电池板。停在左方的黄色赛车采用传统的太阳能技术，而停在右方的蓝色赛车采用美国国家半导体公司的SolarMagic技术。车道上搭建了几个拱门架，在架下有太阳投射的阴影。两条车道完全相同，拱门架下格子图案的阴影也相同。　　当高尔...[详细]
复杂的无线标准为仪器行业带来挑战

　　以前，RF测试相对简单。你可测量发射器的功率输出，借助频谱分析仪侦测噪声。在接收器端，则测量噪声和灵敏度。不幸的是，这些轻松的日子一去不复返了。　　随着先进数字调制方法及软件定义无线通信架构的引入，如今无线电通信技术已变得越来越复杂，它们以数字信号处理、I/Q信号链、多输入/多输出(MIMO) 以及其他先进技术为特点。另外，不应忽视为满足管控规约和互操作性需要必须对这些复杂通讯协议进行的...[详细]
奥运场馆医疗卫生保障正式进入运营状态

　　从7月20日开始，北京奥运场馆医疗卫生保障正式进入运营状态，奥运村综合诊所开始接诊。与此同时，24家奥运定点医院、3000名奥运场馆医疗志愿者、421名奥运场馆公共卫生保障人员、城市三级院内应急医疗救治网络都已经准备就绪。　　3000名“奥运大夫”进驻场馆　　奥运医疗卫生保障工作包括医疗服务，如场馆、驻地医疗站；公共卫生服务，如场馆、驻地食品卫生、饮用水卫生、空调及住宿接待等公共...[详细]
泰克公司数字视频仪器成网通奥运会首选

中国领先的宽带通信运营商将使用获奖的泰克公司视频测试设备，以传送完美的视频信号。俄勒冈州比佛顿，2008年6月24日，全球领先的测试测量和监测仪器供应商泰克公司今天宣布，中国网通（China Netcom, CNC）决定采用泰克公司的视频测试和测量设备，以确保北京2008奥运会视频信号的高质量传送。中国网通选购的泰克公司视频测试设备有新型的PQA500图像质量分析仪、WFM7...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多